Продуктова категория:
МОСФЕТ
РоХС:
Технология:
Си
Стил на монтаж:
СМД/СМТ
Пакет / Калъф:
СОИК-8
Полярност на транзистора:
P-канал
Брой канали:
1 канал
Vds - Напрежение на разрушаване на дренажния източник:
20 В
Id - непрекъснат ток на източване:
15 А
Rds On - съпротивление на дренажния източник:
8.2 мОм
Vgs - Gate-Source напрежение:
- 12 V, + 12 V
Vgs th - прагово напрежение на портата-източник:
1 В
Qg - Зареждане на портата:
87 г
Минимална работна температура:
- 55 C
Максимална работна температура:
+ 150 C
Pd - Разсейване на мощността:
2,5 W
Режим на канала:
Подобрение
Опаковки:
Макара
Опаковки:
Изрежете лента
Опаковки:
Макара
за мишки
Марка:
Инфиниън Технолоджис
Конфигурация:
Единичен
Височина:
1.75 мм
Дължина:
4,9 мм
Тип продукт:
МОСФЕТ
Количество на фабричния пакет:
4000
лв.
Подкатегория:
МОСФЕТ
Тип транзистор:
1 P-канал
Широчина:
3,9 мм
Единично тегло:
0.019048 унции